leaf-rv1126
sprhawk
Components (65)
| Reference | Value | Description |
|---|---|---|
| Q1 | Q_PNP_BEC | |
| U1 | BL8039 | |
| U2 | rv1126/rv1109 | |
| U3 | MTFC4GACAJCN | |
| U4 | AP6526 | |
| U5 | RK809-2 | |
| U6 | NCP114AMX250TCG | |
| U7,U8 | Samsung K4A4G165WE-BCRC | 存储器构架(格式): SDRAM DDR4 时钟频率(fc): 1200MHz 存储容量: 4Gbit 工作电压: 1.14V~1.26V 工作电 |
| BT1 | Battery_Cell | |
| C1,C16,C40,C46,C51,C55,C60,C68,C69,C74,C97,C98 | 10uF X5R 10V | 容值: 10uF 精度: ±20% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C2,C3,C34,C70-C72,C75,C76,C78,C95,C96 | 22uF X5R 10V | 容值: 22uF 精度: ±20% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质：X5R |
| C4,C11-C15,C18,C19,C21,C23,C24,C26,C28-C31,C33,C35-C39,C43-C45,C49,C50,C53,C54,C57,C58,C66,C67,C104,C106,C117,C118,C121,C123,C125 | 100nF X5R 6.3V | 容值: 100nF 精度: ±10% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X7R 材质：X7R,容值: 100nF 精度: ±10% 额定电压: 6.3V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C5,C108,C110,C129-C131,C133-C137,C139,C141-C146,C149-C151,C153-C157,C159,C161-C166,C169,C170 | 100nF X5R 10V | 容值: 100nF 精度: ±10% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C6,C63,C64 | 22pF 50V C0G | 容值: 22pF 精度: ±5% 额定电压: 50V 材质(温度系数): C0G 材质:C0G |
| C7,C25,C27,C73,C77,C79 | 10uF X5R 6.3V | 容值: 10uF 精度: ±20% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R,容值: 10uF 精度: ±20% 额定电压: 6.3V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C8-C10,C41,C42,C47,C48,C52,C56,C61,C62,C81,C85,C89,C93,C100,C102,C103,C122,C124 | 1uF X5R 6.3V | 容值: 1uF 精度: ±10% 额定电压: 6.3V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C17,C20,C22,C84,C128,C148 | 4.7uF X5R 10V | 容值: 4.7uF 精度: ±10% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C65 | 10nF 25V X5R | 容值: 10nF 精度: ±10% 额定电压: 25V 材质(温度系数): X7R 材质:X7R |
| C80,C82,C83,C86-C88,C90-C92,C94 | 1uF X5R 10V | 容值: 1uF 精度: ±10% 额定电压: 16V 材质(温度系数): X5R 材质:X5R |
| C99,C101,C111 | 2.2uF X5R 10V | 容值: 2.2uF 精度: ±10% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R |
| C105,C107 | 27pF C0G 50V | 容值: 27pF 精度: ±2% 额定电压: 50V 材质(温度系数): C0G 材质:C0G |
| C109,C112 | 1uF ±10% 6.3V | 容值: 1uF 精度: ±10% 额定电压: 6.3V 材质(温度系数): X7R 材质:X7R |
| C113-C116,C138,C158,C301 | 1nF X5R 50V | 容值: 1nF 精度: ±10% 额定电压: 50V 材质(温度系数): X7R 材质:X7R |
| C119,C120 | 10pF 50V C0G +-1% | 容值: 10pF 精度: ±1% 额定电压: 50V 材质(温度系数): C0G 材质：C0G |
| C126 | 100pF C0G 50V | 容值: 100pF 精度: ±5% 额定电压: 50V 材质(温度系数): C0G 材质:C0G |
| C132,C152,C167,C168 | 22uF X5R 6.3V | 容值: 22uF 精度: ±20% 额定电压: 10V 材质(温度系数): X5R 材质：X5R |
| D1-D12 | ESD9B5.0ST5G | |
| D13,D14 | ESD 5.0V | 极性: 双向 反向截止电压(Vrwm): 5V 击穿电压(VBR): 6V 峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us: 4A 钳位电压(Vc)@Ipp: 20V |
| D15 | ESD 3.3V | 极性: 双向 反向截止电压(Vrwm): 3.3V 击穿电压(VBR): 5V 峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us: 6A 钳位电压 |
| FL1 | Filter_EMI_CommonMode | |
| H1,H2 | MountingHole | |
| J1 | Micro_SD_Card_Det1 | MicroSD卡(TF卡),卡连接方式:拔插式,工作温度范围:-25℃~+85℃,本体最大高度:1.7mm,焊接温度(最大值):260℃,触头材质:C5191,触头镀层:金,连接器类型:卡座 |
| J2 | MIPI-CSI | |
| J3 | USB_OTG | |
| J20001 | Conn_01x04 | Generic connector, single row, 01x04, script generated (kicad-library-utils/schlib/autogen/connector/) |
| L1 | 2.2uH 0.102 ohm 2.30A | 电感值: 2.2uH 精度: ±20% 额定电流: 2.3A 饱和电流(Isat): 2.3A 直流电阻(DCR): - Q值: - 自谐振频率: - 车规等级: |
| L2-L6 | 470nH 4.53A 0.035ohm | 电感值: 470nH 精度: ±20% 额定电流: 3.32A 饱和电流(Isat): 4.53A 直流电阻(DCR): 35mΩ Q值: - 自谐振频率: - 车 |
| R1 | 56K 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 56.2kΩ 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R2,R27,R44,R45 | 100R 5% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 100Ω 精度: ±5% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R3 | 43.2K 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 43.2kΩ 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R4 | 115K 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 115kΩ 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温 |
| R5,R56,R66,R69 | 240R 1% | |
| R6,R13-R16,R23,R24,R54,R58 | 0R 5% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 0Ω 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±800ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作 |
| R7-R12,R41,R48-R53,R59 | 22R 5% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 22.1Ω 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R17-R20,R43 | 4.7K 5% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 4.7kΩ 精度: ±1% 功率: 1/20W 温度系数: ±200ppm/℃ 最大工作电压: 25V 工作温度,电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 4.7kΩ 精度: ±5% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温 |
| R21,R22,R33 | 2.2K 5% | 阻值: 2.2kΩ 精度: ±5% 功率: 0.0625W 温度系数: ±100ppm/℃ |
| R25,R26 | 2.2R 5% | |
| R28,R29 | 200R 1% | |
| R30 | 18K 1% | |
| R31 | 10K 1% | |
| R32 | 1K 5% | |
| R34 | 220R 5% | |
| R38,R39 | 2.2kΩ ±5% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 2.2kΩ 精度: ±1% 功率: 50mW 温度系数: ±200ppm/℃ 最大工作电压: 25V 工作温度 |
| R40 | 450K 1% | |
| R42 | 47K 1% | |
| R46 | 110K 1% | |
| R47 | 120K 1% | |
| R55,R57,R67,R68,R70,R71 | 1K 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 1kΩ 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R60,R61 | 75R 1% | 厚膜电阻 阻值: 75Ω 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度 |
| R62,R63 | 33R 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 33Ω 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度范围: -55℃~+155℃ |
| R64,R65,RN1-RN6 | 49.9R 1% | 电阻类型: 厚膜电阻 阻值: 49.9Ω 精度: ±1% 功率: 1/16W 温度系数: ±100ppm/℃ 最大工作电压: 50V 工作温度,阻值: 49.9Ω 精度: ±1% 单个元件功率: 62.5mW 电阻器数: 4 引脚数: 8 温度系数: ±200ppm/℃ |
| SW1,SW2 | SKSGPAE010 | |
| TP1-TP3 | TestPoint | |
| Y2 | 32.768kHz ±20ppm 12.5pF | 晶振类型: 贴片无源晶振 频率: 32.768kHz 频率公差: ±20ppm 负载电容: 12.5pF 等效串联电阻(ESR): 70kΩ 工 |
| Y3 | 24MHz ±10ppm 10pF | 晶振类型: 贴片无源晶振 频率: 24MHz 频率公差: ±10ppm 负载电容: 10pF 等效串联电阻(ESR): 80Ω 工 |